國立中興大學技術移轉遴選廠商公告：材料系武東星教授「磊晶元件的製作方法」
更新時間：2019-04-19 14:13:50 /
張貼時間：2019-04-19 14:12:24
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國立中興大學技術授權遴選廠商公告資料表
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| 公告主旨：國立中興大學技術移轉遴選廠商公告 | 公告日期：108/04/19 |
| 公告編號：108-013 | |
| 內容：國立中興大學技術移轉遴選廠商公告 一、技術名稱：磊晶元件的製作方法 二、專利資訊：I480926 & US 8,853,057 B2 三、技術來源：科技部 四、技術內容： 一種製造半導體器件的方法，包括：（a）形成分層結構，該分層結構包括臨時基板，臨時基板上的多個間隔開的犧牲膜區域，以及犧牲膜區域中的多個谷峰區域;（b）在犧牲膜區域和谷-峰區域上橫向和磊晶生長磊晶膜層，其中在磊晶膜層和谷-峰區域之間形成間隙;（c）形成導電層以接觸磊晶膜層;（d）形成多個凹槽，以將磊晶膜層和導電層分成臨時基板上的多個磊晶結構。 |
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| 五、計畫執行機關∕系所：材料科學與工程學系、精密工程研究所 技術發明人：武東星、洪瑞華教授 |
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| 六、廠商資格： 1、廠商業別：光電產業 2、應具備之專門技術：磊晶技術元件製程技術 3、應有之機具設備：有機金屬氣相磊晶反應設備、黃光微影設備、金屬蒸鍍/濺鍍設備、化學蝕刻設備等 4、應有之研究或技術人員人數：10人 5、其他：無 |
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| 七、預期利用範圍及產品：發光二極體元件、光電感測器、雷射二極體、…等光電半導體產品。 | |
| 八、公開方式： （一）技術資料於網際網路上公開。 網址：國立中興大學首頁http://www.nchu.edu.tw/index1.php 國立中興大學產學研鏈結中心 http://140.120.49.189/about1.php （二）逕向國立中興大學產學研鏈結中心葉小姐及黃小姐索取相關資料。 |
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| 九、申請方式： （一）由網際網路下載申請表格，填妥後逕送至國立中興大學產學研鏈結中心。 （二）亦得逕至中興大學索取技術資料及申請表格。 地點：台中市興大路145號（國農中心大樓2F 234室） 承辦人員：葉小姐/黃小姐 聯絡電話：(04)22851811#21.20 傳真：(04)22851672 e-mail： jmine3388@nchu.edu.tw 、 yenling@nchu.edu.tw |
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