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國立中興大學技術移轉遴選廠商公告:材料系武東星教授「磊晶元件的製作方法」

更新時間:2019-04-19 14:13:50 / 張貼時間:2019-04-19 14:12:24
程子綺
單位產學研鏈結中心
305
國立中興大學技術授權遴選廠商公告資料表
公告主旨:國立中興大學技術移轉遴選廠商公告 公告日期:108/04/19
公告編號:108-013
內容:國立中興大學技術移轉遴選廠商公告
一、技術名稱:磊晶元件的製作方法
二、專利資訊:I480926  &  US 8,853,057 B2
三、技術來源:科技部
四、技術內容:
      一種製造半導體器件的方法,包括:(a)形成分層結構,該分層結構包括臨時基板,臨時基板上的多個間隔開的犧牲膜區域,以及犧牲膜區域中的多個谷峰區域;(b)在犧牲膜區域和谷-峰區域上橫向和磊晶生長磊晶膜層,其中在磊晶膜層和谷-峰區域之間形成間隙;(c)形成導電層以接觸磊晶膜層;(d)形成多個凹槽,以將磊晶膜層和導電層分成臨時基板上的多個磊晶結構。
五、計畫執行機關∕系所:材料科學與工程學系、精密工程研究所
        技術發明人:武東星、洪瑞華教授
六、廠商資格:
1、廠商業別:光電產業
2、應具備之專門技術:磊晶技術元件製程技術
3、應有之機具設備:有機金屬氣相磊晶反應設備、黃光微影設備、金屬蒸鍍/濺鍍設備、化學蝕刻設備等
4、應有之研究或技術人員人數:10人
5、其他:無
七、預期利用範圍及產品:發光二極體元件、光電感測器、雷射二極體、…等光電半導體產品。
八、公開方式:
(一)技術資料於網際網路上公開。
網址:國立中興大學首頁http://www.nchu.edu.tw/index1.php
國立中興大學產學研鏈結中心 http://140.120.49.189/about1.php
(二)逕向國立中興大學產學研鏈結中心葉小姐及黃小姐索取相關資料。
九、申請方式:
(一)由網際網路下載申請表格,填妥後逕送至國立中興大學產學研鏈結中心。
(二)亦得逕至中興大學索取技術資料及申請表格。
  地點:台中市興大路145號(國農中心大樓2F 234室)
  承辦人員:葉小姐/黃小姐     聯絡電話:(04)22851811#21.20      傳真:(04)22851672
  e-mail: jmine3388@nchu.edu.tw yenling@nchu.edu.tw 
 
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