【公關中心】新世代電子技術：國立中興大學開發雙柵極二維電晶體，整合記憶、邏輯與仿神經元功能—發表於《Small》期刊

稿源：中興大學生醫工程研究所

國立中興大學（NCHU）與姊妹校捷克布爾諾理工大學（BUT）攜手合作，於電子元件設計領域實現重大突破。

想像一款單一裝置，既能儲存資訊、執行邏輯運算，又能模擬人腦神經元般的適應性學習能力。中興大學研究團隊成功開發出具多功能雙柵極二維電晶體，將記憶、邏輯及仿神經元功能整合於單一元件中，開創智慧化電子系統的新篇章。

這項開創性研究近期發表於《Small》（2024 年影響因子 12.1），展示超薄二維材料如何驅動智慧化電子元件的發展。來自BUT微電子系博士生、同時為Visegrad–Taiwan 獎學金得主Adam Šlechta，在林淑萍教授實驗室參與仿神經元研究，與團隊成員 Advaita Ghosh 及Dr. Lester Uy Vinzons 共同完成這款前所未有的多功能電晶體。此研究成果亦展現了中興大學與布爾諾理工大學跨國科研合作的實力。

主要特點與創新亮點
•記憶體內邏輯運算：可在記憶體單元內執行可重構的「或」（OR）和「非」（NOT）邏輯運算，並支援「非」邏輯運算增益調節。此設計相較於傳統系統，大幅降低能耗與電路空間佔用。

•具適應性調節的神經形態行為：模擬大腦神經元的學習與適應特性，能根據不同訊號強度、持續時間及重複次數做出動態反應。頂部柵極如同“調節神經元”，可強化或抑制訊號，實現更高層次的神經控制。

林淑萍教授表示：「這款元件展示了記憶、邏輯與神經調控功能於單一二維材料平台的共存。」林彥甫教授補充：「我們的下一步目標是將此設計優化以實現大規模整合，應用於人工智慧硬體、神經形態運算等領域。」

憑藉小巧體積與多樣化功能，中興大學的雙柵極二維電晶體邁向新世代電子產品的關鍵一步，不僅速度更快、體積更小，更具備生物智能般的自適應特性。

完整論文請見：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202503991

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新聞報導彙整

1.工商時報：興大與捷克成功開發具多功能雙柵極二維電晶體
2.中時：興大與捷克成功開發具多功能雙柵極二維電晶體
3.國立教育廣播電台：興大雙柵極二維電晶體整合記憶、邏輯與仿神經元功能
4.yahoo新聞：興大雙柵極二維電晶體整合記憶、邏輯與仿神經元功能
5.yahoo股市：興大與捷克成功開發具多功能雙柵極二維電晶體