【公關中心】中興大學衍生企業「亞斯光能」 榮獲「經濟部 TREE Award 研究機構創業潛力獎」

稿源：中興大學產學研鏈結中心創業育成組(興創基地)

國立中興大學衍生新創企業「亞斯光能股份有限公司」（LuxSi Inc.），在甫結束的InnoVEX 2026經濟部產業技術司展館舞台上，獲頒「2026 TREE Award經濟部研究機構創業潛力獎」特別獎，同時獲得新臺幣30萬元獎金支持，頒獎當天由公司創辦人林佳鋒教授親自領獎，展現中興大學在農食生技以外領域卓越材料工程技術創新能力，及科研成果產業化的技術落地實力。

「亞斯光能股份有限公司」（LuxSi Inc.）成立於2025年，由國立中興大學材料科學與工程學系林佳鋒教授創立，透過中興大學產學研鏈結中心之興創孵化育成系統培育，及經濟部科研成果價值創造計畫1,900萬關鍵補助加速研發成果落地。公司成立初期定位聚焦光(Lux)、矽(Si)之矽光子技術解決方案發展，透過林教授投入氮化鎵磊晶與製程30年經驗，致力解決AI伺服器「銅導線耗電發熱、速度效能下降與熱當機」的技術痛點。

林佳鋒教授談及技術發想於紀國鐘講座教授在美國貝爾實驗室之技術路線圖表，傳輸距離大於1毫米就是光取代電傳輸領域，與鄭晃忠教授、馮明憲教授、郭政達博士之啟蒙。開發出「短距離多通道可見光InGaN微型共振腔發光二極體傳輸陣列覆晶模組」並已獲得發明專利。

透過磊晶片整合高速微型共振腔型光源、低損耗光傳輸氮化鎵波導與光耦合矽基光感測器之線性陣列，此多通道傳輸光源覆晶結構與驅動IC(包含Tx與Rx)形成電轉光轉電之IOI模組，取代矽中介層之銅導線(光進銅退)，可直接用CoWoS封裝貼合於GPU與HBM之間低耗電光傳輸模組，利用技術貼合於矽中介層晶圓、ABF載板與PCB基板上，實現晶片間的高速與低耗損光訊號互連技術。採用InGaN微型共振腔發光二極體(RC-LED)/類面射型雷射(Quasi-VCSEL)線性陣列，具備窄發散角提升光耦合效率、窄線寬光源減少光色散、InGaN耐高溫/低功耗光源與低光損耗氮化鎵波導取代光纖傳輸，單通道頻寬可達2 GHz (RC-LED)與3~5 GHz (Quasi-VCSEL)，可直接貼合於ASIC-Tx驅動電源IC與ASIC-PD-IC元件，設計為400通道Tx與400通道Rx結構，達成400×4 Gbps=1.6 Tbps之光傳輸模組，此電光連接器類似樂高積木方式跨接晶片與晶片之間高速傳輸，可以導入CoWoS與CoPoS先進封裝技術，LuxSi的技術有望成為次世代先進封裝中的 CPO（共同封裝光學）標準化光傳輸零組件，將可大降低短距離銅導線傳輸訊號之耗電與低速技術痛點。

為實踐技術落地能力，「亞斯光能」延攬實戰派優秀人才，技術團隊成員皆來自光電半導體產業界，具有深厚的技術底蘊與量產實務，穩健經營下能精準地將先進的光電元件設計，轉化為具備市場競爭力的成熟製程，縮短從研發到量產的週期。目前「亞斯光能」正處於啟動資金募資階段，獲獎是委員對核心技術的肯定，募資後將加速產品進入市場與營收倍數成長。

林佳鋒教授表示，非常感謝過去指導栽培過自己的紀國鐘講座教授，也很感謝中興大學科研創業培育系統的輔導與協助，以及經濟部價創計畫關鍵的補助支持，另外也要特別感謝願意加入「亞斯光能」的公司成員們，有大家齊心努力，才能一路快速向前，此次能獲頒「2026 TREE Award經濟部研究機構創業潛力獎」特別獎，對我們團隊而言是非常大的鼓舞，未來我們會繼續努力，也請各界繼續支持「亞斯光能」。